在嵌入式系统中，EEPROM和Flash存储器都是用于非易失性数据存储的两种常见技术。尽管它们有许多相似之处，但也有明显的区别。🚀

首先，从结构上来看，EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）允许逐位擦除和编程，这使得它非常适合需要频繁更改的小量数据存储。而Flash存储器则更适合于大量数据的存储，例如固件或配置文件。这是因为Flash存储器以块为单位进行擦除，效率更高。💡

其次，从使用寿命角度来看，EEPROM的擦写次数可以达到10万次以上，而Flash的擦写寿命通常在1万到10万次之间。因此，在需要频繁更新数据的应用场景中，选择EEPROM更为合适。🔧

最后，从成本和集成度来看，Flash存储器通常具有更高的容量和更低的成本，更适合大容量数据存储。而EEPROM则因其较低的集成度和较小的容量，更适合于小型设备或需要快速随机访问的应用场景。💰

综上所述，选择EEPROM还是Flash存储器取决于具体应用场景的需求。在实际应用中，我们应根据需求权衡两者之间的优缺点，做出最佳选择。🎯

EEPROM Flash 存储器 嵌入式系统 NXP RT FlexSPI